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摘要：本申请提供一种集成温度检测的压电式MEMS加速度计及制备方法，压电式MEMS加速度计集成原位温度检测，其是一种芯片级集成，通过在同一芯片上集成电阻Pt层作为温度检测元件，实现了加速度计的原位温度检测功能，这有助于实时感知加速度计工作环境中的温度变化，进而通过软件算法或硬件电路对温度引起的误差进行实时校准和补偿，显著提升测量精度。并且，对同一金属铂层进行图形化，能够同时得到用于测量加速度的底电极Pt层和用于原位温度检测的电阻Pt层，减少了制造过程中的步骤，简化了工艺流程，还节省了芯片上的空间。
主权项：1.一种集成温度检测的压电式MEMS加速度计的制备方法，其特征在于，所述压电式MEMS加速度计包括振动敏感结构、框架结构和悬梁结构，所述方法包括：在SOI衬底正面和背面生长隔离层，在SOI衬底正面的隔离层上沉积金属铂层，在所述金属铂层上沉积压电层；其中，所述SOI衬底的正面为器件层，所述SOI衬底的中间层为埋氧层，所述SOI衬底的背面为支撑层；对所述压电层进行图形化；对所述金属铂层进行图形化，形成底电极Pt层和电阻Pt层；其中，所述底电极Pt层用于测量加速度，所述电阻Pt层用于原位温度检测；在所述压电层上制备图形化的顶电极层；对SOI衬底正面的隔离层和所述器件层进行图形化，形成所述振动敏感结构和框架结构；刻蚀SOI衬底背面的隔离层，并从SOI衬底背面刻蚀所述支撑层设定深度，形成质量块结构；其中，设定深度小于所述支撑层的厚度；刻蚀SOI衬底背面的隔离层和所述支撑层，形成所述悬梁结构。
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百度查询： 松山湖材料实验室 中国科学院物理研究所 一种集成温度检测的压电式MEMS加速度计及制备方法
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