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摘要：一种常关型碳化硅高压JFET器件及制备方法，器件包括在N型衬底上生长N型漂移区，在N型漂移区内有第一、第二P型阱掺杂区与第一N型阱掺杂区，其中分别有第一、第二P型高掺杂注入区与第二N型高掺杂注入区，在第一与第二P型阱掺杂区间有第一N型高掺杂注入区并形成背靠背的PN结，在N型漂移区上方形成氧化介质引出金属源、漏、栅电极，第一N型高掺杂区下方形成有特征结构，其中包含第一、第二P型埋层，并与第一、第二P型阱掺杂区形成常关型特征左、中、右沟道；方法是在N型衬底上生长外延层，在外延层中进行离子注入形成不同类型低掺杂阱，在不同类型阱中分别离子注入形成高掺杂区域，高温热退火后，生长层间介质并刻蚀、淀积引出电极。

主权项：1.一种常关型碳化硅高压JFET器件，包括：N型衬底（001），在N型衬底（001）上设有N型漂移区（002），在N型漂移区（002）上有第一P型阱掺杂区（003）、第二P型阱掺杂区（004）、第一N型阱掺杂区（005），在第一P型阱掺杂区（003）内有第一P型高掺杂注入区（111），在第二P型阱掺杂区（004）内有第二P型高掺杂注入区（113），在第一P型阱掺杂区（003）与第二P型阱掺杂区（004）之间有第一N型高掺杂注入区（112），并且，第一N型高掺杂注入区（112）的两端分别延伸并触及第一P型阱掺杂区（003）与第二P型阱掺杂区（004），在第一N型阱掺杂区（005）内有第二N型高掺杂注入区（114），在N型外延上依次设有第一层氧化层介质（006）与第二层氧化层介质（007），在第一N型高掺杂注入区（112）引出金属电极并作为源极（01S），在第二N型高掺杂注入区（114）引出金属电极并作为漏级（01D），在第一P型高掺杂注入区（111）与第二P型高掺杂注入区（113）引出金属电极并作为栅极（01G），所述第一P型阱掺杂区（003）与第二P型阱掺杂区（004）分别与第一N型高掺杂注入区（112）构成背连背的PN结，其特征在于，在第一N型高掺杂注入区（112）下方的N型漂移区（002）区域内设有第一P埋层（031）和第二P埋层（032）且第一P埋层（031）与第二P埋层（032）被N型漂移区（002）隔离，所述第一P埋层（031）与第一P型阱掺杂区（003）电连接以使其具有相同电位，所述第二P埋层（032）与第二P型阱掺杂区（004）电连接以使其具有相同电位；在常态下的器件处于关断状态，源极01S）与栅极（01G）接零电位电压，第一P型阱掺杂区（003）、第二P型阱掺杂区（004）、第一P埋层（031）以及第二P埋层（032）电位为零，位于第一P型阱掺杂区（003）与第一P埋层（031）之间的N型漂移区（002）、位于第一P埋层（031）与第二P埋层（032）之间的N型漂移区（002），以及，位于第二P埋层（032）与第二P型阱掺杂区（004）之间的N型漂移区（002）处于耗尽状态，使得导通沟道021处于关断状态；当器件处于开启状态时，源极（01S）接零电位电压，栅极（01G）接正电压，漏级（01D）外接高电位电压，接正电压的栅极（01G）使得位于第一P型阱掺杂区（003）与第一P埋层（031）之间的N型漂移区（002）、位于第一P埋层（031）与第二P埋层（032）之间的N型漂移区（002），以及，位于第二P埋层（032）与第二P型阱掺杂区（004）之间的N型漂移区（002）导通。

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百度查询： 东南大学 一种常关型碳化硅高压JFET器件及制备方法