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申请/专利权人：湖北九峰山实验室
摘要：本发明提供了一种SiCJFET晶片上外延GaNHEMT高压器件的制备方法，方法包括：从斜切n+SiC衬底自下而上生长缓冲层和n‑SiC外延层，制作SiC外延片；在SiC外延片的表面处理形成P‑well和n+SiC的接触区域，制作SiCJFET结构；进行处理，形成外延石墨烯；在外延石墨烯的表面进行外延生长，得到SiCGaN混合外延片；通过不包含P‑GaN帽层和包含P‑GaN帽层的SiCGaN混合外延片分别流片制作SiCJFET和MIS‑凹栅HEMTHyFET器件、SiCJFET和P‑GaNHEMTHyFET器件。该方式避免了GaNHEMT外延层表面过于粗糙，进而提高材料迁移率和方阻品质。
主权项：1.一种SiCJFET晶片上外延GaNHEMT高压器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：从斜切n+SiC衬底自下而上生长缓冲层和n-SiC外延层，制作SiC外延片；在所述SiC外延片的表面处理形成P-well和n+SiC的接触区域，制作SiCJFET结构；将所述SiCJFET结构的表面进行处理，形成外延石墨烯；在所述外延石墨烯的表面进行III-氮化物异质结构的外延生长，得到SiCGaN混合外延片；若所述外延生长不包括P-GaN层，则通过不包含P-GaN帽层的所述SiCGaN混合外延片流片制作SiCJFET和MIS-凹栅HEMTHyFET器件；若所述外延生长包括外延P-GaN层，则通过包含P-GaN帽层的所述SiCGaN混合外延片流片制作SiCJFET和P-GaNHEMTHyFET器件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖北九峰山实验室 SiC JFET晶片上外延GaN HEMT高压器件的制备方法
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