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摘要：本申请公开了一种宽禁带半导体器件及其制备工艺，涉及半导体技术领域，公开了宽禁带半导体器件，包括：横向通孔的第一氮化铝镓层、纵向通孔的第二氮化铝镓层与纵向通孔的氮化镓层，所述氮化镓设置在所述第一氮化铝镓层与所述第二氮化铝镓层的中间层，所述横向通孔用于引导电子横向流动，所述纵向通孔用于引导电子纵向流动；通过所述第一氮化铝镓层、所述第二氮化铝镓层与所述氮化镓层形成二维电子气通道。也即，本申请通过第一氮化铝镓层、第二氮化铝镓层与氮化镓层优化了宽禁带半导体器件的结构，保证了宽禁带半导体器件的频率特性，进而提高宽禁带半导体器件耐压能力。
主权项：1.一种宽禁带半导体器件，其特征在于，所述的宽禁带半导体器件包括：横向通孔的第一氮化铝镓层、纵向通孔的第二氮化铝镓层与纵向通孔的氮化镓层，所述氮化镓设置在所述第一氮化铝镓层与所述第二氮化铝镓层的中间层，所述横向通孔用于引导电子横向流动，所述纵向通孔用于引导电子纵向流动；通过所述第一氮化铝镓层、所述第二氮化铝镓层与所述氮化镓层形成二维电子气通道。
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百度查询： 无锡博通微电子技术有限公司 宽禁带半导体器件及其制备工艺
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