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摘要：本申请公开了一种加工碳化硅定位边的方法及带有定位边的碳化硅晶体和应用，属于碳化硅加工技术领域。该方法包括步骤：1将碳化硅晶体固定；2采用XRD对碳化硅晶体的0004晶面或11‑28晶面进行定向，先调整X射线的入射角θ1和出射夹角θ2，再将碳化硅晶体以垂直中心线为轴旋转和进行φ扫描，直至旋转至衍射强度最大值的位置停止，之后将碳化硅晶体以水平中心线为轴旋转和进行χ扫描，直至旋转至衍射强度最大值的位置，最后继续将碳化硅晶体以水平中心线为轴旋转，并根据所需的晶体偏角角度进行χ值调整；3采用微射流水导激光在晶体的1‑100晶面进行定位边标记，形成定位边。该加工方式能够避免材料浪费，提高定位边的加工效率和加工精度。
主权项：1.一种加工碳化硅定位边的方法，其特征在于，包括下述步骤：1将碳化硅晶体固定；2采用XRD对碳化硅晶体的0004晶面或11-28晶面进行定向，先调整X射线的入射角θ1和出射夹角θ2，再将碳化硅晶体以垂直中心线为轴旋转和进行φ扫描，直至旋转至衍射强度最大值的位置停止，之后将碳化硅晶体以水平中心线为轴旋转和进行χ扫描，直至旋转至衍射强度最大值的位置，最后继续将碳化硅晶体以水平中心线为轴旋转，并根据所需的晶体偏角角度进行χ值调整；3采用微射流水导激光在晶体的1-100晶面进行定位边标记，形成定位边。
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百度查询： 上海天岳半导体材料有限公司 一种加工碳化硅定位边的方法及带有定位边的碳化硅晶体和应用
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