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摘要：本发明提供一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法，所述方法包括：提供具有缓冲层的衬底，在缓冲层上通过原子层沉积方式形成氧化物薄膜；对氧化物薄膜进行光刻与湿刻，获得图形化的氧化物薄膜；对图形化的氧化物薄膜进行退火；在退火后图形化的氧化物薄膜上沉积栅绝缘层；在栅绝缘层上沉积栅电极，并对栅电极进行图形化处理；以图形化的栅电极为掩膜，对氧化物薄膜的两端进行离子注入，形成N型重掺杂区；以图形化的栅电极为掩膜，对N型重掺杂区上的栅绝缘层进行刻蚀；在N型重掺杂区上沉积金属，形成源漏电极，并进行退火，得到氧化物薄膜晶体管。本发明的氧化物薄膜组分可精准调控，成膜质量高且薄膜均一性好，同时具有较好的热稳定性。
主权项：1.一种氧化物薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供具有缓冲层的衬底，在所述缓冲层上通过原子层沉积方式形成氧化物薄膜；对所述氧化物薄膜依次进行光刻与湿刻，获得图形化的氧化物薄膜；对所述图形化的氧化物薄膜进行退火；在退火后图形化的氧化物薄膜上沉积栅绝缘层；在所述栅绝缘层上沉积栅电极，并对所述栅电极进行图形化处理；以图形化的栅电极为掩膜，对所述氧化物薄膜的两端进行离子注入，形成N型重掺杂区；以图形化的栅电极为掩膜，对所述N型重掺杂区上的栅绝缘层进行刻蚀；在N型重掺杂区上沉积金属，形成源漏电极，并进行退火，得到氧化物薄膜晶体管。
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百度查询： 上海交通大学 一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法
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