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摘要：本公开涉及一种碳化硅器件及其制作方法。制作方法包括：提供碳化硅衬底，在碳化硅衬底上形成光刻胶层，并图案化光刻胶层，图案化后的光刻胶层具有第一粗糙度；对图案化后的光刻胶层进行修正处理，修正后的光刻胶层具有第二粗糙度，第二粗糙度小于第一粗糙度；根据修正后的光刻胶层刻蚀碳化硅衬底，形成多个间隔设置的碳化硅沟槽，碳化硅沟槽的侧壁具有第三粗糙度；对碳化硅沟槽的侧壁进行修正处理，修正后的碳化硅沟槽的侧壁具有第四粗糙度，第四粗糙度小于第三粗糙度。能够降低碳化硅沟槽的侧壁的粗糙度，能够降低形成在碳化硅沟槽的侧壁的表面的膜层缺陷，降低碳化硅器件的电阻，提升碳化硅器件的性能和产品良率。
主权项：1.一种碳化硅器件的制作方法，其特征在于，包括：提供碳化硅衬底，在所述碳化硅衬底上形成光刻胶层，并图案化所述光刻胶层，图案化后的所述光刻胶层具有第一粗糙度；对图案化后的所述光刻胶层进行修正处理，修正后的所述光刻胶层具有第二粗糙度，所述第二粗糙度小于所述第一粗糙度；根据修正后的所述光刻胶层刻蚀所述碳化硅衬底，形成多个间隔设置的碳化硅沟槽，所述碳化硅沟槽的侧壁具有第三粗糙度；对所述碳化硅沟槽的侧壁进行修正处理，修正后的所述碳化硅沟槽的侧壁具有第四粗糙度，所述第四粗糙度小于所述第三粗糙度。
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百度查询： 上海邦芯半导体科技有限公司 碳化硅器件及其制作方法
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