买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
摘要:本申请提供了一种晶体及制备方法,晶体制备方法包括:提供籽晶,将籽晶置于横向磁场单晶炉内,对籽晶进行引晶处理;获取引晶处理结束时的初始拉速,进行放肩处理,加热,直至形成晶体;其中,根据初始拉速,对放肩处理中的拉速和加热的功率进行补偿,以使晶体的肩型生长为目标肩型;目标肩型具有沿第一方向的第一长度Lmm,满足:190≤L≤220。本申请提供的制备方法根据引晶工艺结束时的拉速对放肩处理中的拉速和加热功率进行调节,对放肩过程中晶体的生长进行干预,避免放肩肩型锥度过大或出现锥肩,从而适当减小晶体边缘产生的应力,降低断线率,提高晶体整体形貌和质量。
主权项:1.一种晶体制备方法,其特征在于,包括:提供籽晶,将所述籽晶置于横向磁场单晶炉内,对所述籽晶进行引晶处理;获取引晶处理结束时的初始拉速,进行放肩处理,加热,直至形成所述晶体;其中,根据所述初始拉速,对所述放肩处理中的拉速和加热的功率进行补偿,以使所述晶体的肩型生长为目标肩型;所述目标肩型具有沿第一方向X的第一长度Lmm,满足:190≤L≤220。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 内蒙古中环领先半导体材料有限公司 中环领先半导体科技股份有限公司 一种晶体及制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。