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摘要：本发明属于光电材料技术领域，具体涉及一种硅基Ⅲ‑Ⅴ族GaAs太阳能电池梯度缓冲层及其应用。本发明公开的硅基Ⅲ‑Ⅴ族GaAs太阳能电池梯度缓冲层位于Si衬底和Ⅲ‑Ⅴ族GaAs太阳能电池层之间，所述自Si衬底至Ⅲ‑Ⅴ族GaAs太阳能电池层之间的梯度缓冲层依次为GaAs0.125P0.875缓冲层、GaAs0.25P0.75缓冲层、GaAs0.375P0.625缓冲层、GaAs0.5P0.5缓冲层、GaAs0.625P0.375缓冲层、GaAs0.75P0.25缓冲层和GaAs0.875P0.125缓冲层。本发明可以有效缓解Si衬底和Ⅲ‑Ⅴ族砷化镓电池之间的晶格失配，使材料应力得以释放，减少材料间的缺陷、位错，有效提高电池的质量；同时利用GaAs1‑xPx梯度缓冲层整体内应力造成的应变，调控缓冲层的带隙，使其保持直接带隙，具有良好的光吸收能力，使太阳能电池的整体光电转换效率得到提高。
主权项：1.一种硅基Ⅲ-Ⅴ族GaAs太阳能电池梯度缓冲层，位于Si衬底和Ⅲ-Ⅴ族GaAs太阳能电池层之间，其特征在于，所述自Si衬底至Ⅲ-Ⅴ族GaAs太阳能电池层之间的梯度缓冲层以GaAsP为材料，P浓度逐渐减小，且相邻缓冲层间的浓度差为12.5％。
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百度查询： 云南师范大学 一种硅基Ⅲ-Ⅴ族GaAs太阳能电池梯度缓冲层及其应用
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