龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：本发明公开了一种环栅堆叠纳米片场效应晶体管的制备方法，属于半导体器件领域。本发明制备方法包括：绝缘衬底清洗；牺牲层沉积；氧化物半导体沟道材料沉积；重复沉积牺牲层及沟道材料；沟道隔离区定义及刻蚀：源漏接触电极定义及沉积；高选择比刻蚀牺牲层，形成带有悬空空间的多层纳米片结构；栅极氧化层沉定义及沉积；栅极金属电极定义及沉积，最后刻蚀堆叠栅极，形成环栅堆叠纳米片场效应晶体管。本发明通过高刻蚀选择比刻蚀工艺去除牺牲层以实现悬空空间，通过垂直堆叠结构提高了器件性能和器件密度，为环栅堆叠纳米片场效应晶体管的工业化应用提供了可行的技术路径。
主权项：1.一种环栅堆叠纳米片场效应晶体管的制备方法，该场效应晶体管为垂直型环栅结构，其特征在于，使用高刻蚀选择比材料做牺牲层，形成多层垂直环栅纳米片沟道材料互联在一起，具体制备包括以下步骤：1清洗绝缘衬底；2沉积牺牲层，所述牺牲层的厚度范围为10-30nm；3沉积氧化物半导体沟道层，所述氧化物半导体沟道层的厚度范围为2nm-20nm；4重复步骤2—步骤3；5沟道隔离区定义及刻蚀：6源漏接触电极定义及沉积；7采用不损伤沟道材料的刻蚀溶液高选择比刻蚀牺牲层，形成带有悬空空间的多层垂直纳米片结构；8在悬空空间的四周以及源漏接触电极上淀积栅极氧化介质层；9在悬空空间内填充金属栅电极，以及在源漏接触电极的栅极氧化介质层上沉积金属栅电极；10刻蚀堆叠栅极，形成环栅堆叠纳米片场效应晶体管。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京大学 一种环栅堆叠纳米片场效应晶体管的制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号