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摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种碳化硅功率器件及其制备方法和应用，本发明选用半绝缘碳化硅单晶为衬底，开展同质外延、器件制备、衬底剥离等工艺，达到半绝缘碳化硅单晶衬底重复利用的目的，降低碳化硅同质外延层的晶圆翘曲与应力，降低器件的导通电阻以及制造成本，推进碳化硅电力电子器件的大规模应用。
主权项：1.一种碳化硅功率器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：采用半绝缘碳化硅单晶衬底（1）为基板，在半绝缘碳化硅单晶衬底（1）的硅面进行n型碳化硅单晶外延层（2）生长，在所述n型碳化硅单晶外延层（2）的硅面进行碳化硅器件结构（3）制备，在碳化硅器件结构（3）上旋涂光刻胶（4）；借助激光扫描，在n型碳化硅单晶外延层（2）与半绝缘碳化硅单晶衬底（1）的界面形成改质层，剥离半绝缘碳化硅单晶衬底（1）；在n型碳化硅单晶外延层（2）的碳面沉积欧姆接触金属（7），并进行激光退火，制备器件的欧姆接触，之后继续在欧姆接触金属（7）上沉积金属银（8）；借助激光扫描，激光烧蚀欧姆接触金属（7）和金属银（8）升华形成沟槽，分离碳化硅器件结构（3）背面欧姆接触金属（7）和金属银（8）；去除碳化硅器件结构（3）上的光刻胶（4），借助激光扫描，激光改质导电型碳化硅，在导电型碳化硅中形成空洞层，分离碳化硅器件。
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百度查询： 山东大学 一种碳化硅功率器件及其制备方法和应用
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