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摘要:本实用新型涉及多晶硅生产技术领域,且公开了一种用于半导体级多晶硅的置换装置,包括固定组件,固定组件包括:还原炉尾气管道外侧设置有压力变送器;电动阀门设置于还原炉尾气管道的一端;第一连接管设置于电动阀门的一侧;吸气阀设置于第一连接管的顶部;第一连接管的外侧设置有真空置换组件,真空置换组件包括:L型分流管设置于第一连接管的外侧;罗茨泵设置于L型分流管的一端;第一分流管设置于罗茨泵的一侧;缓冲罐设置于第一分流管的一端,并与第一连接管的一端固定连接;前级水环式真空泵设置于缓冲罐的一侧,通过设置真空置换组件,提高了还原炉内的的真空度,满足满足半导体级多晶硅对于物料的洁净度要求,提高了工作效率。
主权项:1.一种用于半导体级多晶硅的置换装置,包括固定组件1,所述固定组件1包括:还原炉尾气管道11,其外侧设置有压力变送器12;电动阀门13,设置于所述还原炉尾气管道11的一端;第一连接管14,设置于所述电动阀门13的一侧;吸气阀15,设置于所述第一连接管14的顶部;其特征在于:所述第一连接管14的外侧设置有真空置换组件2,所述真空置换组件2包括:L型分流管22,设置于所述第一连接管14的外侧;罗茨泵21,设置于所述L型分流管22的一端;第一分流管23,设置于所述罗茨泵21的一侧;缓冲罐24,设置于所述第一分流管23的一端,并与所述第一连接管14的一端固定连接;前级水环式真空泵26,设置于所述缓冲罐24的一侧。
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