龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：本发明提供一种沟槽栅器件的多晶硅栅的制作方法，该多晶硅栅的制作方法包括以下步骤：提供一衬底，并于衬底上表面形成图案化的遮蔽层；提供一沟槽刻蚀设备，将衬底置于沟槽刻蚀设备中，调整主刻蚀气体中第一和二气体至预设比例x，基于预设比例x将工艺腔中温度调整至预设温度T，再对衬底进行刻蚀以得到侧壁呈预设角度α的沟槽；形成填充沟槽的多晶硅栅，且形成多晶硅栅的过程中基于预设角度α调整填充沟槽的多晶硅的沉积速度y。本发明通过控制第一、二气体的比例为预设比例x，并基于预设比例x调控工艺腔的温度以得到侧壁倾角为预设角度α的沟槽，再基于预设角度α调控多晶硅栅的沉积速度，提升了多晶硅栅的填充性能，改善了器件的漏电性能。
主权项：1.一种沟槽栅器件的多晶硅栅的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一待制作沟槽的衬底，并于所述衬底的上表面形成图案化的遮蔽层；提供一沟槽刻蚀设备，将上表面形成有图案化的所述遮蔽层的所述衬底置于所述沟槽刻蚀设备的工艺腔中，调整刻蚀气体中第一气体与第二气体至预设比例x，并基于所述预设比例x将所述工艺腔中的温度调整至预设温度T，再对所述衬底进行刻蚀以得到多个间隔设置且侧壁呈预设角度α的沟槽；形成填充所述沟槽的多晶硅栅，且形成所述多晶硅栅的过程中基于所述预设角度α调整填充所述沟槽的所述多晶硅栅的沉积速度y。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 沟槽栅器件的多晶硅栅的制作方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号