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摘要:本发明为一种清洗液,其为用于清洗硅晶圆的清洗液,其特征在于,所述清洗液为包含臭氧的氢氟酸水溶液,在所述清洗液中,氢氟酸浓度为使通过氢氟酸实现的氧化膜蚀刻速率为0.004nmsec以上的浓度,臭氧浓度为使通过臭氧实现的氧化膜形成速率为0.01nmsec以下的浓度,并且,所述氢氟酸浓度与所述臭氧浓度满足以通过臭氧实现的氧化膜形成速率通过氢氟酸实现的氧化膜蚀刻速率表示的速率比为1以下的关系。由此,可提供一种清洗液,所述清洗液可在抑制硅晶圆的表面粗糙度雾度的恶化和产生突起状的缺陷PID等的同时,进行硅晶圆表面的微粒和金属杂质的去除。
主权项:1.一种清洗液,其为用于清洗硅晶圆的清洗液,其特征在于,所述清洗液为包含臭氧的氢氟酸水溶液,在所述清洗液中,氢氟酸浓度为使通过氢氟酸实现的氧化膜蚀刻速率为0.004nmsec以上的浓度,臭氧浓度为使通过臭氧实现的氧化膜形成速率为0.01nmsec以下的浓度,并且,所述氢氟酸浓度与所述臭氧浓度满足以通过臭氧实现的氧化膜形成速率通过氢氟酸实现的氧化膜蚀刻速率表示的速率比为0.5以下的关系。
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百度查询: 信越半导体株式会社 清洗液及晶圆的清洗方法
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