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摘要：本发明提供了一种重新布线的晶圆级封装结构及其制备方法，包括衬底、依次位于衬底表面的钝化层、第一重新布线金属层、第一有机绝缘层和第二重新布线金属层，衬底表面具有多个引出电极，引出电极与衬底内对应的待封装的芯片电连接，钝化层覆盖引出电极的部分具有暴露出引出电极的第一开口，第一重新布线金属层通过第一开口与引出电极电连接，第一有机绝缘层具有暴露出第一重新布线金属层的第二开口，第二重新布线金属层通过第二开口与第一重新布线金属层电连接。由于钝化层的表面为采用CMP工艺处理过的表面，因此，可以直接在钝化层表面形成第一重新布线金属层，从而可以取消钝化层表面的有机绝缘层，进而可以节省材料，降低封装成本。
主权项：1.一种重新布线的晶圆级封装结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底内集成有多个待封装的芯片，所述衬底表面具有多个引出电极，所述引出电极与对应的待封装的芯片电连接；位于所述衬底表面的钝化层，所述钝化层覆盖所述引出电极的部分具有第一开口，所述第一开口暴露出所述引出电极，所述钝化层的表面为采用CMP工艺处理过的表面；位于所述钝化层表面的第一重新布线金属层，所述第一重新布线金属层通过所述第一开口与所述引出电极电连接，所述钝化层覆盖所述引出电极的部分具有多个第一开口，所述多个第一开口均匀排布；位于所述第一重新布线金属层表面的第一有机绝缘层，所述第一有机绝缘层具有第二开口，所述第二开口暴露出所述第一重新布线金属层；位于所述第一有机绝缘层表面的第二重新布线金属层，所述第二重新布线金属层通过所述第二开口与所述第一重新布线金属层电连接；还包括锡球，所述锡球固定在所述第二重新布线金属层表面，且与所述第二重新布线金属层电连接。
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