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申请/专利权人：珠海方唯成半导体材料有限责任公司

申请日：2024-11-19

公开（公告）日：2025-01-03

公开（公告）号：CN119238360A

专利技术分类：..用于加工平面的研磨垫[2012.01]

专利摘要：本发明公开了一种氮化镓单晶衬底高效研磨抛光装置，涉及氮化镓技术领域，包括底座，所述底座的上端设置有加工台，所述加工台的上端设置有四组固定柱，每前后两组所述固定柱侧壁之间设置有一组升降杆，两组所述升降杆的两端与固定柱的内壁之间均设置有一号滑动块，两组所述升降杆的上端设置有连接架，四组所述固定柱的上端设置有固定架，所述固定架的中间设置有气缸，所述气缸的下端与连接架的上端连接，两组所述升降杆的侧壁之间设置有两组滑杆以及一组一号丝杆。本发明的一种氮化镓单晶衬底高效研磨抛光装置，在研磨的过程中不需要人们手动切换不同目数的研磨盘或者抛光盘，让研磨抛光的过程更加高效。

专利权项：1.一种氮化镓单晶衬底高效研磨抛光装置，包括底座1，其特征在于：所述底座1的上端设置有加工台2，所述加工台2的上端设置有四组固定柱5，每前后两组所述固定柱5侧壁之间设置有一组升降杆8，两组所述升降杆8的两端与固定柱5的内壁之间均设置有一号滑动块13，两组所述升降杆8的上端设置有连接架12，四组所述固定柱5的上端设置有固定架6，所述固定架6的中间设置有气缸7，所述气缸7的下端与连接架12的上端连接，两组所述升降杆8的侧壁之间设置有两组滑杆15以及一组一号丝杆14，所述一号丝杆14设置于两组滑杆15之间，后侧所述升降杆8的后端设置有一号电机16，所述一号电机16与一号丝杆14一端连接，所述滑杆15以及一号丝杆14的外壁设置有一组移动杆17，所述移动杆17的下端设置有连接轨道架20，所述连接轨道架20的一端外壁设置有一号驱动盒21，所述连接轨道架20的内部设置有二号滑动块24，所述二号滑动块24的中间在连接轨道架20的内部设置有二号丝杆25，所述一号驱动盒21的内部设置有二号电机26，所述二号电机26与二号丝杆25连接，所述二号滑动块24的下端设置有连接杆27，所述连接杆27的下端设置有二号驱动盒28，所述二号驱动盒28的前端设置有限位块29，所述限位块29的中间设置有旋转筒31，所述二号驱动盒28的内部设置有三号电机34，所述三号电机34与旋转筒31的后端连接，所述旋转筒31的四周外壁均设置有限位圆头32，所述限位圆头32的下端在旋转筒31的内部均设置有弹簧33，所述旋转筒31的前端在限位块29的前方设置有连接盘30，所述连接盘30的前端设置有安装块18，所述安装块18的前端与两组滑杆15之间设置有平衡架57，所述安装块18的内部设置有四组四号电机36，四组所述四号电机36的端头在安装块18的外部均设置有旋转杆35，三组所述旋转杆35的端头均设置有研磨盘19，一组所述旋转杆35的端头设置有抛光盘22，所述抛光盘22的外壁设置有抛光垫23。

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