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最新专利技术
  • 一种听觉认知功能障碍用康复训练方法
    一种听觉认知功能障碍用康复训练方法_苏州维格纳信息科技有限公司_202411206917.7
    本发明涉及一种听觉认知功能障碍用康复训练方法，主要包括以下步骤：步骤S1：数据采集模块获取医疗人员诊断的儿童听力障碍的信息；步骤S2：练模块通过医疗系统的数据库获取儿童听力障碍的相关症状和治疗听力障碍的相应方法；步骤S3：儿童父母根据训练实...
    2025-02-26
  • 信任钱包
    信任钱包_索尼集团公司_202380045089.0
    使用用户的数字钱包对产品进行数字认证，包括：为产品生成区块链；接收该产品的序列号并将其匹配到用户的数字钱包；以及将所生成的区块链添加到数字钱包中。
    2025-02-26
  • 网络内集合操作
    网络内集合操作_英特尔公司_202311814726.4
    本公开的发明名称是“网络内集合操作”。本文描述的示例涉及一种交换机，该交换机包括电路，该电路被配置成：对于与用于训练机器学习(ML)模型的集合操作关联的分组通信：针对从集合操作的至少一个工作器节点到交换机的通信利用可靠传输协议，其中针对从集...
    2025-02-26
  • 模拟数字转换器、以及模拟数字转换率自动调校方法
    模拟数字转换器、以及模拟数字转换率自动调校方法_新唐科技股份有限公司_202311828457.7
    本发明提供了模拟数字转换器、以及模拟数字转换率自动调校方法，模拟数字转换器在耦接一模拟数字转换硬件的一控制器上内建一转换率自动调校器，以一第一转换率参数、与一第二转换率参数，操作该模拟数字转换硬件转换一测试输入，获得一第一评估值、以及一第二...
    2025-02-26
  • 气体感测装置
    气体感测装置_新唐科技股份有限公司_202311817799.9
    一种气体感测装置，包括基板、第一晶体管、第二晶体管、第一金属电极层、第二金属电极层、第一感测材料层、指叉状电极以及第二感测材料层。第一晶体管以及第二晶体管形成于基板中。第一金属电极层、第二金属电极层以及第一感测材料层形成于第一晶体管以及第二...
    2025-02-26
  • 一种高效加热的锅炉及使用方法
    一种高效加热的锅炉及使用方法_红云红河烟草(集团)有限责任公司_202311830629.4
    本发明公开了一种高效加热的锅炉及使用方法，涉及锅炉设备技术领域。包括电热炉本体；用于对电热炉本体内壁进行清洁的清洁组件；所述清洁组件包括转动设置在电热炉本体内顶壁的上转盘和转动设置在电热炉本体内底壁的下转盘，所述上转盘与下转盘之间转动安装有...
    2025-02-26
  • 一种空调混合热交换系统
    一种空调混合热交换系统_上海钛阳线束测试系统有限公司_202311869186.X
    本发明公开了一种空调混合热交换系统，包括主换向阀、第一板式热交换器、第二板式热交换器及空气热交换机构，主换向阀的A1端口连接压缩机，A2端口连接空气热交换机构，A3端口连接气液分离器，气液分离器连接压缩机，A4端口连接第二板式热交换器，空气...
    2025-02-26
  • 一种三板式空调热交换系统及其制冷、制热控制方法
    一种三板式空调热交换系统及其制冷、制热控制方法_上海钛阳线束测试系统有限公司_202311862534.0
    本发明公开了一种三板式空调热交换系统及其制冷、制热控制方法，属于空调的技术领域。三板式空调热交换系统包括压缩机、主换向阀、第一板式热交换器、第二板式热交换器、第三板式热交换器及空气热交换机构，第三板式热交换器的连接主换向阀及空气热交换机构，...
    2025-02-26
  • 一种抗燃无味纳米酚醛板材
    一种抗燃无味纳米酚醛板材_江苏苍古建筑工程有限公司_202411207123.2
    本发明公开了一种抗燃无味纳米酚醛板材，涉及酚醛板材技术领域。本发明先利用对羟基苯已酮、甲醛与3‑甲氧基‑4‑甲基苯硼酸反应生成的硼酚醛树脂，能在高温环境下，形成稳定致密的碳化硼层，实现耐热、高阻燃的效果；接着，在硼酚醛树脂中引入环氧结构，在...
    2025-02-26
  • 一种改善睡眠刺梨叶提取物的制备方法及应用
    一种改善睡眠刺梨叶提取物的制备方法及应用_贵州省天然产物研究中心_202311840743.5
    本发明公开了一种改善睡眠刺梨叶提取物的制备方法及应用。将刺梨叶经过加热回流提取，乙酸乙酯萃取、分离纯化得到刺梨叶提取物。本发明刺梨叶活性提取物富含三萜、黄酮成分，其改善睡眠活性显著，可用于制备改善睡眠的药物、辅助药物或作为保健食品添加剂；制...
    2025-02-26
  • hnRNPA2B1激动剂化合物及其抗感染应用
    hnRNPA2B1激动剂化合物及其抗感染应用_中国医学科学院基础医学研究所_202311858728.3
    本公开涉及异质性细胞核核糖蛋白A2B1(hnRNPA2B1)hnRNPA2B1激动剂化合物及其抗感染应用。具体而言，本公开涉及式(I)所示的稠合环类化合物、其顺反异构体、其对映异构体、其非对映异构体、其外消旋体、其溶剂合物、其水合物或其药学...
    2025-02-26
  • hnRNPA2B1激动剂及其与免疫检查点抑制剂联用的肿瘤防治应用
    hnRNPA2B1激动剂及其与免疫检查点抑制剂联用的肿瘤防治应用_中国医学科学院基础医学研究所_202311858727.9
    本公开涉及异质性细胞核核糖蛋白A2B1(hnRNPA2B1)hnRNPA2B1激动剂化合物及其与免疫检查点抑制剂联合抗肿瘤的应用。具体而言，本公开涉及式(I)所示的稠合环类化合物、其顺反异构体、其对映异构体、其非对映异构体、其外消旋体、其溶...
    2025-02-26
  • hnRNPA2B1激动剂及其与化疗剂联用的肿瘤防治应用
    hnRNPA2B1激动剂及其与化疗剂联用的肿瘤防治应用_中国医学科学院基础医学研究所_202311858726.4
    本公开涉及异质性细胞核核糖蛋白A2B1(hnRNPA2B1)hnRNPA2B1激动剂化合物及其与化疗剂联合抗肿瘤的应用。具体而言，本公开涉及式(I)所示的稠合环类化合物、其顺反异构体、其对映异构体、其非对映异构体、其外消旋体、其溶剂合物、其...
    2025-02-26
  • hnRNPA2B1激动剂化合物及其肿瘤防治应用
    hnRNPA2B1激动剂化合物及其肿瘤防治应用_中国医学科学院基础医学研究所_202311858725.X
    本公开涉及异质性细胞核核糖蛋白A2B1(hnRNPA2B1)hnRNPA2B1激动剂化合物及其抗肿瘤应用。具体而言，本公开涉及式(I)所示的稠合环类化合物、其顺反异构体、其对映异构体、其非对映异构体、其外消旋体、其溶剂合物、其水合物或其药学...
    2025-02-26
  • hnRNPA2B1激动剂及其与STING激动剂联用的肿瘤防治应用
    hnRNPA2B1激动剂及其与STING激动剂联用的肿瘤防治应用_中国医学科学院基础医学研究所_202311858723.0
    本公开涉及异质性细胞核核糖蛋白A2B1(hnRNPA2B1)hnRNPA2B1激动剂化合物及其与STING激动剂联合抗肿瘤的应用。具体而言，本公开涉及式(I)所示的稠合环类化合物、其顺反异构体、其对映异构体、其非对映异构体、其外消旋体、其溶...
    2025-02-26
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202410027772.8
    实施方式涉及半导体装置及其制造方法。栅极电极具有与半导体层的台面部的侧面中的至少包含第二半导体部的区域对置的第一侧面部、在第二方向上位于第一侧面部的相反侧的第二侧面部、相对于第一侧面部及第二侧面部倾斜且将第一侧面部与第二侧面部连接的底部、位...
    2025-02-26
  • 基于可视化配置的代理负载均衡及限流的方法
    基于可视化配置的代理负载均衡及限流的方法_运去哪物流科技集团有限公司_202410035401.4
    本发明公开了基于可视化配置的代理负载均衡及限流的方法，涉及限流方法技术领域。该基于可视化配置的代理负载均衡及限流的方法，步骤1：研发人员可在代理账号信息页通过新增代理账号基本信息，输入相应的信息，完成对代理账号基本信息的维护工作；步骤2：通...
    2025-02-26
  • 半导体结构
    半导体结构_新唐科技股份有限公司_202410047189.3
    一种半导体结构，包括具有第一导电型的第一阱、第二阱、第三阱、第一掺杂区、第二掺杂区与第四掺杂区、具有第二导电型的第四阱与第三掺杂区、第一接点、第二接点以及栅极结构。第二阱以及第三阱形成于第一阱中。第四阱形成于第一阱中且位于第二阱以及第三阱之...
    2025-02-26
  • 用于制造铜箔的阳极组件
    用于制造铜箔的阳极组件_韦思科电极株式会社_202410051863.5
    本发明提出一种用于制造铜箔的阳极组件，包括：衬底(2)，其具有对应于筒形阴极的凹圆弧形截面；以及多个电极(4)，其利用多个紧固螺栓(6)紧固于所述衬底上，并沿周向排列。多个电极不因紧固螺栓的紧固压而变形，而是维持平面状态地紧固于衬底，由此能...
    2025-02-26
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202410053680.7
    实施方式涉及半导体装置。沟槽构造部具有：场板电极；第一绝缘膜，其设于场板电极与半导体层之间；第二绝缘膜，其设于场板电极上，向比第一绝缘膜靠近半导体层的第一面的一侧延伸突出；以及栅极电极，其具有设于第二绝缘膜上的第一部分和设于第一绝缘膜上且比...
    2025-02-26
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