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申请/专利权人：钰泰半导体股份有限公司
摘要：本实用新型提供一种易于集成的D‑Mode氮化镓功率管的驱动及电流检测电路，其包括D‑Mode氮化镓功率管和与所述D‑Mode氮化镓功率管串联的第一常闭型功率管，所述D‑Mode氮化镓功率管的栅极与所述第一常闭型功率管的源极连接，所述D‑Mode氮化镓功率管的源极与所述第一常闭型功率管的漏极极连接，所述第一常闭型功率管的栅极为驱动信号输入端，所述D‑Mode氮化镓功率管的漏极为开关连接端。本实用新型将难受控的D‑Mode氮化镓功率管转变为易受控的硅LDMOS进行控制，控制简单，同时大大拓宽了栅极的驱动电压范围；成电流镜像的第一常闭型功率管和第二常闭型功率管可以集成到芯片里面，构成D‑Mode氮化镓功率管的驱动芯片，提高了系统集成度；省掉了主路电流检测电阻，减小了主路电阻损耗。
主权项：1.一种易于集成的D-Mode氮化镓功率管的驱动及电流检测电路，包括D-Mode氮化镓功率管和与所述D-Mode氮化镓功率管串联的第一常闭型功率管，其特征在于：所述D-Mode氮化镓功率管的栅极与所述第一常闭型功率管的源极连接，所述D-Mode氮化镓功率管的源极与所述第一常闭型功率管的漏极极连接，所述第一常闭型功率管的栅极为驱动信号输入端，所述D-Mode氮化镓功率管的漏极为开关连接端。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 钰泰半导体股份有限公司 一种易于集成的D-Mode氮化镓功率管的驱动及电流检测电路
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