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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
摘要：本发明公开一种适用于MTM反熔丝PROM的读出电路，属于半导体集成电路领域，包括隔离管N1、预充管P0、下拉管N0、限压保护电阻R0、识别反相器INV1、常规反相器INV2、编程控制信号Prog_VC和读出使能信号SA_EN。增加的限压保护电阻远R0大于MTM反熔丝的编程后电阻，但又远小于MTM反熔丝的未编程电阻。当存储单元中存储数据0，MTM反熔丝未被编程，电阻极高。在进行读出操作时，限压保护电阻可以有效降低MTM反熔丝两端的电压差，从而实现对未编程MTM反熔丝的保护，提高MTM反熔丝PROM存储器的可靠性。
主权项：1.一种适用于MTM反熔丝PROM的读出电路，其特征在于，包括隔离管N1、预充管P0、下拉管N0、限压保护电阻R0、识别反相器INV1、常规反相器INV2、编程控制信号Prog_VC和读出使能信号SA_EN；所述隔离管N1的漏端连接位线BL，栅端连接编程控制信号Prog_VC，源端连接关键节点D0；限压保护电阻R0的第一端连接关键节点D0，第二端接地；下拉管N0的源端接地，栅端连接读出使能信号SA_EN，漏端连接关键节点D0；预充管P0的漏端连接电源VDD，栅端连接读出使能信号SA_EN，源端连接关键节点D0；所述关键节点D0连接识别反相器INV1的输入端，调整识别反相器INV1的翻转电平，准确识别编程和未编程二种状态下，关键节点D0的电平；识别反相器INV1的输出端连接常规反相器INV2的输入端，所述常规反相器INV2将识别反相器INV1的输出反相，作为读出电路的输出结果，即存储单元中存储的数据。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第五十八研究所 一种适用于MTM反熔丝PROM的读出电路
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