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申请/专利权人：信越半导体株式会社
摘要：本发明是一种硅晶圆的评价方法，其特征在于，包含：在残存有加工变质层的裸硅晶圆面内的多个部位，使用拉曼分光显微镜获得硅的一次拉曼峰位置；根据在所述多个部位获得的所述硅的一次拉曼峰位置生成峰偏移的直方图；根据所述直方图算出平均值A和标准偏差S；以及根据所述平均值A及所述标准偏差S估计残存于所述硅晶圆的加工变质层的最大深度D。由此，提供能够正确地估计残存有加工变质层的裸硅晶圆中的加工变质层的最大深度的硅晶圆的评价方法。
主权项：1.一种硅晶圆的评价方法，其特征在于，包含：在残存有加工变质层的裸硅晶圆面内的多个部位，使用拉曼分光显微镜获得硅的一次拉曼峰位置；根据在所述多个部位获得的所述硅的一次拉曼峰位置生成峰偏移的直方图；根据所述直方图算出平均值A和标准偏差S；以及根据所述平均值A及所述标准偏差S估计残存于所述硅晶圆的加工变质层的最大深度D。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 信越半导体株式会社 硅晶圆的评价方法及硅晶圆的加工变质层去除方法
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