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一种对准标记及半导体结构 

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申请/专利权人:合肥晶合集成电路股份有限公司

摘要:本实用新型提供一种对准标记及半导体结构,对准标记包括第一基础对准标记和或第二基础对准标记,所述第一基础对准标记为两头宽中间窄的长条状凹槽,所述第二基础对准标记为两头宽中间窄的长条环状凹槽,使得在EPI工艺之后,所述第一基础对准标记和第二基础对准标记的中间部分可以被完美地填充,并不会出现填充间隙,从而使得所述第一基础对准标记和第二基础对准标记不会出现畸变轮廓,可以提高对准标记在EPI工艺之后的对准精度,还提高了黄光有效对准率,并减少了黄光重做的次数,还减少了人员及机台的工作量,提高了制程效率。

主权项:1.一种对准标记,其特征在于,包括第一基础对准标记和或第二基础对准标记,所述第一基础对准标记为两头宽中间窄的长条状凹槽,所述第二基础对准标记为两头宽中间窄的长条环状凹槽。

全文数据:

权利要求:

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