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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：形成衬底，衬底包括基底以及位于基底上的若干鳍部结构；形成器件结构，器件结构包括：横跨鳍部结构的栅极，栅极位于衬底上；在栅极内形成栅极切割开口，栅极切割开口位于相邻的鳍部结构之间，栅极切割开口的宽度的最大值为第一宽度，栅极切割开口在栅极顶部的宽度为第二宽度，第一宽度大于第二宽度，宽度为栅极切割开口在平行于衬底表面方向上且位于相邻鳍部结构之间的尺寸；在栅极切割开口内形成栅极切割隔离结构，栅极切割隔离结构将栅极顶部的栅极切割开口封闭。所述半导体结构及其形成方法减少了栅极切割隔离结构的缺陷，改善了器件性能。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括基底以及位于基底上的若干鳍部结构；器件结构，所述器件结构包括横跨所述鳍部结构的栅极，所述栅极位于衬底上；位于所述衬底上的层间介质层，所述层间介质层位于所述栅极周围；位于所述栅极内的栅极切割开口，所述栅极切割开口位于相邻的鳍部结构之间，所述栅极切割开口的宽度的最大值为第一宽度，所述栅极切割开口在栅极顶部的宽度为第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度，所述宽度为栅极切割开口在平行于衬底表面方向上且位于相邻鳍部结构之间的尺寸；位于所述栅极切割开口内的栅极切割隔离结构，所述栅极切割隔离结构将栅极顶部的栅极切割开口封闭。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法
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