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申请/专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
摘要：本发明提供一种半导体装置及一种形成半导体装置的方法。半导体装置包括基底、元件隔离结构、第一元件、第二元件及第三元件、绝缘层以及第一虚设栅极结构。基底包括第一主动区、第二主动区和第三主动区。元件隔离结构在基底中界定第一主动区、第二主动区以及第三主动区。第一元件和第二元件分别埋设于基底的第一主动区和第二主动区中。第三元件设置在基底的第三主动区上。绝缘层设置在基底上且包括覆盖第一元件的第一部分、覆盖第二元件的第二部分及环绕第三元件的一部分的第三部分。第一部分的水平面积大于第三部分的水平面积。第一虚设栅极结构设置于第一主动区上且嵌置于绝缘层的第一部分中。
主权项：1.一种半导体装置，包括：基底，包括第一主动区、第二主动区和第三主动区；元件隔离结构，在所述基底中界定所述第一主动区、所述第二主动区以及所述第三主动区；第一元件、第二元件及第三元件，所述第一元件和所述第二元件分别埋设于所述基底的所述第一主动区和所述第二主动区中，所述第三元件设置在所述基底的所述第三主动区上；绝缘层，设置在所述基底上且包括覆盖所述第一元件的第一部分、覆盖所述第二元件的第二部分及环绕所述第三元件的一部分的第三部分，其中所述第一部分的水平面积大于所述第三部分的水平面积；以及第一虚设栅极结构，设置于所述第一主动区上且嵌置于所述绝缘层的所述第一部分中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 力晶积成电子制造股份有限公司 半导体装置及形成半导体装置的方法
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