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一种锗基底7-14μm波段DLC/AR红外锗窗口片及其制备方法 

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申请/专利权人:云南驰宏国际锗业有限公司

摘要:本申请涉及一种锗基底7‑14μm波段DLCAR红外锗窗口片及其制备方法,属于光学材料领域,本申请以单晶锗片为基底,基底的正反面分别镀有正面DLC膜,反面AR膜膜系结构;反面AR膜膜系结构以一面镀好DLC膜的锗片为基底由内至外依次镀制第一层ZnS膜层、第一层Ge膜层、第一层ZnSe膜层、第二层Ge膜层、第二层ZnSe层、第一层YbF3层、第二层ZnS层;本申请制备方法制备得到的红外锗窗口片制作工艺简单,张应力小,膜不容易脱落,在保证透过率≥89%的同时,提高锗窗口片在恶劣环境中的耐用性,有效提高了锗窗口片表面的耐摩擦性能、耐腐蚀性能、耐高温性能和表面硬度,该锗窗口片能通过膜强度环境测试,适合工业生产。

主权项:1.一种锗基底7-14μm波段DLCAR红外锗窗口片,其特征在于,以单晶锗片为基底,基底的正面镀有DLC膜,反面镀有AR膜;AR膜膜系结构为:单晶锗基底0.116H3.091M0.296L0.976M0.699L0.689I0.674H空气;式中,H表示一个λ04光学厚度的ZnS膜层;M表示一个λ04光学厚度的Ge膜层;L表示一个λ04光学厚度的ZnSe膜层;I表示一个λ04光学厚度的YbF3膜层;λ0为中心波长;H、M、L和I前的数字均为膜层的厚度比例系数。

全文数据:

权利要求:

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