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申请/专利权人:华邦创科(惠州市)智能科技有限公司
摘要:本发明公开一种大电流短路时IGBT或MOSFET保护方法及装置,该方法包括:当输入电压在电压预设区间时,获取IGBT或MOSFET管的输出电压;当输出电压在预设区间时,系统正常工作,使得继电器正常吸合,正常给负载供电;获取电压信号,判断火线对零线、火线对火线或者火线对地线是否出现短路,若是,则进行放电操作。本发明通过设置短路放电步骤,可以根据是否出现对火线或者对地的短路,然后再进行放电,从而可以将短路产生的高电压进行释放,避免IGBT或MOSFET的两端产生的电压过高,并且设置短路保护电流的越高,则需要释放的电压越高,这样就可以将短路电流保护阈值设置在一个合理的、较高的范围内,可以提高设备的启动能力和抗冲击能力,提高可靠性和稳定性。
主权项:1.一种大电流短路时IGBT或MOSFET保护方法,其特征在于,包括如下步骤:获取三相输入电压,当输入电压在电压预设区间时,则获取IGBT或MOSFET管的输出电压;当所述输出电压在预设电压区间时,则系统正常工作;否则判定为出现故障,系统停止工作;判断霍尔电流传感器是否正常工作,若是,则向IGBT或MOSFET管的驱动单元输出高电平,同时采集驱动前和驱动后的电压值;判断两次电压值之间的电压差值V是否在预设电压差值内,若是,则判定为硬件正常,MCU控制继电器驱动电路,使得继电器正常吸合,正常给负载供电;所述继电器正常吸合后,还包括短路放电步骤:获取电压信号,判断火线对零线、火线对火线或者火线对地线是否出现短路,若是,则进行放电操作。
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百度查询: 华邦创科(惠州市)智能科技有限公司 大电流短路时IGBT或MOSFET保护方法及装置
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