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申请/专利权人：华邦创科(惠州市)智能科技有限公司
摘要：本发明公开一种大电流短路时IGBT或MOSFET保护方法及装置，该方法包括：当输入电压在电压预设区间时，获取IGBT或MOSFET管的输出电压；当输出电压在预设区间时，系统正常工作，使得继电器正常吸合，正常给负载供电；获取电压信号，判断火线对零线、火线对火线或者火线对地线是否出现短路，若是，则进行放电操作。本发明通过设置短路放电步骤，可以根据是否出现对火线或者对地的短路，然后再进行放电，从而可以将短路产生的高电压进行释放，避免IGBT或MOSFET的两端产生的电压过高，并且设置短路保护电流的越高，则需要释放的电压越高，这样就可以将短路电流保护阈值设置在一个合理的、较高的范围内，可以提高设备的启动能力和抗冲击能力，提高可靠性和稳定性。
主权项：1.一种大电流短路时IGBT或MOSFET保护方法，其特征在于，包括如下步骤：获取三相输入电压，当输入电压在电压预设区间时，则获取IGBT或MOSFET管的输出电压；当所述输出电压在预设电压区间时，则系统正常工作；否则判定为出现故障，系统停止工作；判断霍尔电流传感器是否正常工作，若是，则向IGBT或MOSFET管的驱动单元输出高电平，同时采集驱动前和驱动后的电压值；判断两次电压值之间的电压差值V是否在预设电压差值内，若是，则判定为硬件正常，MCU控制继电器驱动电路，使得继电器正常吸合，正常给负载供电；所述继电器正常吸合后，还包括短路放电步骤：获取电压信号，判断火线对零线、火线对火线或者火线对地线是否出现短路，若是，则进行放电操作。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华邦创科(惠州市)智能科技有限公司 大电流短路时IGBT或MOSFET保护方法及装置
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