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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开涉及存储技术领域，提出一种半导体结构及其制作方法、控制方法，该半导体结构包括衬底基板、多条位线、多个主动体、绝缘体、多条字线。绝缘体位于所述衬底基板的一侧；多条位线设置于所述绝缘体内，多条所述位线沿第一方向间隔分布且沿第二方向延伸；多个所述主动体位于所述位线背离所述衬底基板的一侧，主动体在衬底基板的正投影与位线在衬底基板的正投影至少部分重合，且沿所述第二方向上间隔分布；多条字线位于所述绝缘体内，且位于所述位线背离所述衬底基板的一侧，所述字线沿所述第二方向间隔分布且沿第一方向延伸，且在第二方向上的两相邻所述主动体之间仅设置一条所述字线。该半导体结构能够在有限的空间集成较多的存储单元。
主权项：1.一种半导体结构制作方法，其特征在于，包括：形成一待刻蚀体，所述待刻蚀体包括衬底基板、位于所述衬底基板一侧绝缘体，以及多条位线，所述位线位于所述绝缘体内且多条所述位线沿第一方向间隔分布且沿第二方向延伸；在所述绝缘体背离所述位线的一侧形成沿所述第二方向间隔分布且沿第一方向延伸的多条第二凹槽；在所述第二凹槽内依次形成字线和第四绝缘层，所述第四绝缘层位于所述字线背离所述第二凹槽槽底的一侧；在所述绝缘体背离所述衬底基板的一侧形成多个阵列分布的通孔，所述通孔在所述衬底基板的正投影与所述位线在所述衬底基板的正投影至少部分重合，所述通孔延伸至所述位线的表面，且在所述第二方向上，两相邻所述通孔在所述衬底基板的正投影之间仅有一条字线在所述衬底基板的正投影；在所述字线裸露于所述通孔的一侧形成第五绝缘层；在所述通孔内形成第一源漏部、有源部、第二源漏部，所述第一源漏部位于所述位线的一侧，所述有源部位于所述第一源漏部背离所述位线的一侧，所述第二源漏部位于所述有源部背离所述位线的一侧。
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百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其制作方法、控制方法
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