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申请/专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
摘要：本发明公开了一种沟槽栅型HEMT器件。所述沟槽栅型HEMT器件包括：双层栅介质层，设置在HEMT器件的栅极的第一侧、第二侧与凹槽内壁之间，单层栅介质层，设置在所述栅极的底部与凹槽内壁之间；所述单层栅介质层包括第一介质层，所述双层栅介质层包括：位于所述栅极的第一侧与凹槽内壁之间的第一介质层和第二介质层，位于所述栅极的第二侧与凹槽内壁之间的第三介质层和第一介质层，位于所述栅极第一侧的双层栅介质层的厚度＞位于所述栅极第二侧的双层栅介质层的厚度＞位于所述栅极底部的单层栅介质层的厚度。本发明实施例提供的沟槽栅型HEMT器件能够提升栅控能力，进而减少器件阈值电压的降低，使得器件具有较高的漏极饱和电流。
主权项：1.一种沟槽栅型HEMT器件，其特征在于，包括：位于HEMT器件的栅极区域的凹槽内部的单层栅介质层和双层栅介质层，所述单层栅介质层设置在所述栅极的底部与凹槽内壁之间，且所述单层栅介质层包括第一介质层；所述双层栅介质层包括位于所述栅极的第一侧与凹槽内壁之间且沿选定方向叠层设置的第一介质层和第二介质层、位于所述栅极的第二侧与凹槽内壁之间且沿选定方向叠层设置的第三介质层和第一介质层，并且，所述第一介质层是在凹槽的内壁上形成的厚度均匀且连续的层，位于所述栅极第一侧的第一介质层和第二介质层的厚度之和位于所述栅极第二侧的第三介质层和第一介质层的厚度之和位于所述栅极底部的第一介质层的厚度，所述第一介质层由具有第一介电常数的材料组成，所述第二介质层和第三介质层由具有第二介电常数的材料组成，所述第二介电常数大于第一介电常数；其中，所述第一侧为栅极靠近HEMT器件的源极的一侧，所述第二侧为栅极靠近HEMT器件的漏极的一侧，所述选定方向为由源极指向漏极的方向。
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权利要求：
百度查询： 江苏第三代半导体研究院有限公司 沟槽栅型HEMT器件
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