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申请/专利权人：湖北九峰山实验室
摘要：本实用新型涉及一种氧化镓肖特基势垒二极管。该氧化镓肖特基势垒二极管，至少包括氧化镓衬底，具有相对的第一表面和第二表面，所述第二表面指向所述第一表面的方向上；氧化镓外延层，制作在氧化镓衬底的第一表面上；阳极金属，制作在氧化镓外延层表面上且与氧化镓外延层肖特基接触；阴极金属，制作在氧化镓衬底的第二表面上，且与氧化镓衬底欧姆接触；所述氧化镓外延层上表面制作有N个GaON区，所述GaON区与阳极金属肖特基接触，其中，N≥1。本实用新型通过在氧化镓外延层表层区域间隔制作GaON区，通过调控氧化镓和GaON之间的面积比例，使该二极管在器件正向导通时更好导通，降低器件开启电压，且避免反向关断时漏电流增加过大。
主权项：1.一种氧化镓肖特基势垒二极管，其特征在于，至少包括氧化镓衬底，具有相对的第一表面和第二表面，所述第二表面指向所述第一表面的方向上；氧化镓外延层，制作在氧化镓衬底的第一表面上；阳极金属，制作在氧化镓外延层表面上且与氧化镓外延层肖特基接触；阴极金属，制作在氧化镓衬底的第二表面上，且与氧化镓衬底欧姆接触；所述氧化镓外延层上表面制作有N个GaON区，所述GaON区与阳极金属肖特基接触，其中，N≥1。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖北九峰山实验室 一种氧化镓肖特基势垒二极管
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