龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明提供了本发明的半导体器件及其制作方法，在制作方法中，在半导体衬底及所述有源器件上沉积氮化硅层之后，在所述氮化硅层的上表面进行部分深度的掺杂以形成应力补偿层，进一步在应力补偿层上制作层间介质层，所述层间介质层包括沉积形成的氧化硅层。最后对所述层间介质层和所述氮化硅层中形成通孔，所述通孔露出所述有源器件，在所述通孔中填充导电材料以形成导电插塞。在本实施方式中，应力补偿层用来补偿氮化硅层在沉积氧化硅层过程中被氧化而导致的应力损失，从而确保氮化硅层向有源器件提供所需应力，提升载流子迁移率，提升半导体器件性能。
主权项：1.一种半导体器件制作方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成有源器件；在所述半导体衬底及所述有源器件上形成氮化硅层；在所述氮化硅层的上表面进行部分深度的掺杂以形成应力补偿层；在所述应力补偿层上制作层间介质层，所述层间介质层包括沉积形成的氧化硅层；在所述层间介质层和所述氮化硅层中形成通孔，所述通孔露出所述有源器件，在所述通孔中填充导电材料以形成导电插塞。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 半导体器件及其制作方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号