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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：方法包括在绝缘体上硅SOI衬底上方形成栅极结构。SOI衬底包括：基底半导体层；位于基底半导体层上方的绝缘层；以及位于绝缘层上方的顶部半导体层。方法还包括：在栅极结构的顶面上方并且沿栅极结构的侧壁沉积栅极间隔件层；蚀刻栅极间隔件层以在栅极结构的侧壁上限定栅极间隔件；在蚀刻栅极间隔件层之后，使用第一蚀刻工艺在顶部半导体层中蚀刻凹槽；以及在第一蚀刻工艺之后，使用第二蚀刻工艺将凹槽进一步延伸至顶部半导体层中。第一蚀刻工艺与第二蚀刻工艺不同。方法还包括在第二蚀刻工艺之后在凹槽中形成源极漏极区域。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
主权项：1.一种形成半导体器件的方法，包括：在绝缘体上硅衬底上方形成栅极结构，所述绝缘体上硅衬底包括：基底半导体层；绝缘层，位于所述基底半导体层上方；以及顶部半导体层，位于所述绝缘层上方；在所述栅极结构的顶面上方并且沿所述栅极结构的侧壁沉积栅极间隔件层；蚀刻所述栅极间隔件层以在所述栅极结构的侧壁上限定栅极间隔件；在蚀刻所述栅极间隔件层之后，使用第一蚀刻工艺在所述顶部半导体层中蚀刻凹槽；在所述第一蚀刻工艺之后，使用第二蚀刻工艺将凹槽进一步延伸至所述顶部半导体层中，所述第一蚀刻工艺与所述第二蚀刻工艺不同；以及在所述第二蚀刻工艺之后，在所述凹槽中形成源极漏极区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件及其形成方法
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