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申请/专利权人：富士电机株式会社
摘要：本发明提供一种碳化硅半导体装置，能够防止开关动作时的栅极焊盘下的绝缘膜的破坏。具备：由碳化硅构成的第一导电型的漂移层；由碳化硅构成的第二导电型的半导体区，其在有源部与终端部之间的中间部设置于漂移层的上表面侧；设置于半导体区的上表面的第一绝缘膜；设置于第一绝缘膜的上表面的布线层；设置于布线层的上表面的第二绝缘膜；以及栅极焊盘，其设置于第二绝缘膜的上表面，与布线层电连接，半导体区具备：由4H结构的碳化硅构成的第一区，其在深度方向上与布线层的至少一部分重叠；以及包含3C结构的碳化硅的第二区，其设置于第一区的上表面侧。
主权项：1.一种碳化硅半导体装置，具备：由碳化硅构成的第一导电型的漂移层，其从包括有源元件的有源部起设置至在所述有源部的周围设置的终端部；由碳化硅构成的第二导电型的半导体区，其在设置于所述有源部与所述终端部之间的中间部设置于所述漂移层的上表面侧；设置于所述半导体区的上表面的第一绝缘膜；设置于所述第一绝缘膜的上表面的布线层；设置于所述布线层的上表面的第二绝缘膜；以及栅极焊盘，其设置于所述第二绝缘膜的上表面，经由设置于所述第二绝缘膜的开口部来与所述布线层电连接；其中，所述半导体区具备：由4H结构的碳化硅构成的第一区，其在深度方向上与所述布线层的至少一部分重叠；以及包含3C结构的碳化硅的第二区，其设置于所述第一区的上表面侧。
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