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申请/专利权人：北京超弦存储器研究院
摘要：一种3D堆叠的半导体器件及其制造方法、电子设备，3D堆叠的半导体器件包括：分布于不同层、沿着垂直于衬底的方向堆叠且周期性分布的多个存储单元，每一层包括沿第一方向和第二方向阵列分布的多个存储单元；每个存储单元包括一个晶体管和一个电容器；晶体管包括沿第二方向延伸的柱和环绕柱侧壁的栅电极，柱包括第一导电区域、半导体区域和第二导电区域半导体区域包含柱的主体材料，第一导电区域和第二导电区域分别包含第一掺杂材料和第二掺杂材料；第一掺杂材料在第一导电区域中均匀分布，第二掺杂材料在二导电区域中均匀分布。本公开实施例的3D堆叠的半导体器件不存在因制作SiSiGe堆叠导致的外延缺陷，器件的可靠性和集成度较高。
主权项：1.一种3D堆叠的半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：在衬底上依次交替沉积第一绝缘层和第二绝缘层，得到堆叠结构；在所述堆叠结构中刻蚀形成多个朝向所述衬底延伸的第一沟槽，并且各所述第一沟槽沿第一方向延伸并沿第二方向间隔；在所述第一沟槽中形成填充所述第一沟槽的虚拟位线层；在所述堆叠结构的相邻两个所述虚拟位线层之间刻蚀形成一个朝向所述衬底延伸的第二沟槽，并且所述第二沟槽沿所述第一方向延伸；刻蚀去除所述第二绝缘层，露出相邻第一绝缘层之间的所述虚拟位线层的侧壁，所述侧壁沿着第一方向延伸；在所述虚拟位线层露出的侧壁上形成填充在相邻第一绝缘层之间的膜层，所述膜层沿所述第一方向和所述第二方向延伸，所述膜层从靠近所述虚拟位线层的侧壁向第二方向依次含第一导电区域、半导体区域、第二导电区域；对每个所述膜层进行纵向刻蚀形成多个沿所述第二方向延伸并在所述第一方向间隔的多个柱，每个所述柱包含第一导电区域、半导体区域、第二导电区域；在所述柱的半导体区域侧壁形成环绕型的栅极绝缘层和栅电极，以及形成沿垂直于所述衬底的方向延伸的字线。
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百度查询： 北京超弦存储器研究院 3D堆叠的半导体器件及其制造方法、电子设备
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