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保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片、带保护膜的半导体芯片及半导体装置 

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申请/专利权人:琳得科株式会社

摘要:本发明涉及保护膜形成用膜、使用了该保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片、带保护膜的半导体芯片及半导体装置,上述保护膜形成用膜具有固化性,通过利用X射线光电子分光分析法对上述保护膜形成用膜的至少一个表面进行分析而检测出的磷原子数相对于碳原子、氮原子、氧原子、磷原子及硅原子的总数的比率为0.4原子%以上,上述保护膜形成用膜的固化物的铜箔剥离强度为3.0N10mm以上。

主权项:1.一种保护膜形成用膜,其具有固化性,通过利用X射线光电子分光分析法对所述保护膜形成用膜的至少一个表面进行分析而检测出的磷原子数相对于碳原子、氮原子、氧原子、磷原子及硅原子的总数的比率为0.4原子%以上,所述保护膜形成用膜的固化物的铜箔剥离强度为3.0N10mm以上。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 琳得科株式会社 保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片、带保护膜的半导体芯片及半导体装置

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