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申请/专利权人：索泰克公司
摘要：本发明涉及一种用于制造绝缘体上半导体结构的方法，其包括以下步骤：设置供体衬底，其包括限定待转移层的弱化区；设置受体衬底；通过发起从界面的外围的第一区域开始的结合波并且使该波朝向所述界面的外围的与第一区域相对的第二区域传播，将供体衬底结合至受体衬底上，待转移层位于结合界面的那一侧上，结合波的传播速度在中心部分中比在外围部分中低；以及沿着弱化区分离供体衬底以便将待转移层转移到受体衬底上，该方法的特征在于，结合在受控条件下实现以增加结合波在结合界面的外围部分与中心部分之间的传播速度的差。
主权项：1.一种用于制造绝缘体上半导体结构的方法，所述方法包括以下步骤：-设置供体衬底（1），所述供体衬底（1）包括界定待转移层的弱化区；-设置受体衬底（2）；-通过在界面的外围（11）上的第一区域（13）处发起结合波（3）并且使所述波朝向所述界面的所述外围（11）上的与所述第一区域（13）相对的第二区域（14）传播，将所述供体衬底（1）结合至所述受体衬底（2），所述待转移层位于结合界面（10）侧，所述结合波（3）的传播速度在中心部分（12）中比在所述外围（11）中低；-沿着所述弱化区分离所述供体衬底（1）以便将所述待转移层转移到所述受体衬底（2），所述方法的特征在于，所述结合在受控条件下实现以增加所述结合波在所述结合界面（10）的所述外围（11）与所述中心部分（12）之间的传播速度的差，其中，所述结合波的传播速度的差的增加在所述结合界面的所述外围（11）上的所述第二区域（14）中形成气态夹杂物（4）。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 索泰克公司 用于制造绝缘体上半导体衬底的方法
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