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申请/专利权人:株式会社力森诺科
摘要:本发明公开一种切割晶粒接合膜,其具备:晶粒接合膜;及切割膜,具有贴合于晶粒接合膜的压敏胶黏剂层。黏合剂层的厚度为10μm以下。压敏胶黏剂层的厚度小于10μm。切割膜可以进一步具有基材膜,也可以在基材膜上设置压敏胶黏剂层。
主权项:1.一种切割晶粒接合膜,其具备:晶粒接合膜;及切割膜,具有贴合于所述晶粒接合膜的压敏胶黏剂层,所述晶粒接合膜的厚度为10μm以下,所述压敏胶黏剂层的厚度小于10μm。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 株式会社力森诺科 切割晶粒接合膜及制造半导体装置的方法
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