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申请/专利权人：杭州积海半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种半导体器件的制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：提供一衬底，在衬底上形成伪栅极；在伪栅极两侧形成侧墙结构；在所衬底上形成层间介质层，介质层的表面与伪栅极的表面齐平；去除伪栅极，形成凹部；在凹部的底部和侧壁形成第一栅极介质层，第一栅极介质层为高介电常数介质；在第一栅极介质层上形成第二栅极介质层；对第一栅极介质层和第二栅极介质层进行退火处理；在第二栅极介质层上沉积金属功函数层和金属层，形成金属栅极。通过本发明提供的一种半导体器件的制作方法，能够防止因第一栅极介质层结晶化而导致的漏电流，能够大量的减少界面缺陷，降低应力诱导漏电流，改善负偏压温度不稳定。
主权项：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，在所述衬底上形成伪栅极；在所述伪栅极两侧形成侧墙结构；在所述衬底上形成层间介质层，所述介质层的表面与所述伪栅极的表面齐平；去除所述伪栅极，形成凹部；在所述凹部的底部和侧壁形成第一栅极介质层，所述第一栅极介质层为高介电常数介质；在所述第一栅极介质层上形成第二栅极介质层；对所述第一栅极介质层和所述第二栅极介质层进行退火处理；以及在所述第二栅极介质层上沉积金属功函数层和金属层，形成金属栅极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州积海半导体有限公司 一种半导体器件的制作方法
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