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申请/专利权人：无锡新洁能股份有限公司
摘要：本发明涉及一种功率半导体器件终端保护区结构。本发明包括第一终端保护区；第二终端保护区，与第一终端保护区相连；多个P型柱，沿第一方向平行分布；多个N型柱，对应设置于相邻P型柱之间；其中，多个P型柱和多个N型柱均位于有源区和第一终端保护区，且沿第二方向延伸至第二终端保护区，并在第二终端保护区内停止，各P型柱和各N型柱沿第三方向延伸，第一方向、第二方向和第三方向两两垂直，且第一方向和第二方向与水平面平行；至少一个N型隔断区，设置于第二终端保护区内，N型隔断区能够将P型柱隔断。通过设置N型隔断区将传统终端的一个电场尖峰变为多个电场尖峰，从而降低电场峰值，提高终端可靠性并增大器件的击穿电压窗口。
主权项：1.一种功率半导体器件终端保护区结构，所述终端保护区结构围绕于有源区外侧设置，所述有源区与所述终端保护区结构设置于N型的半导体基板（7）上，其特征在于，所述终端保护区结构包括：第一终端保护区；第二终端保护区，与所述第一终端保护区相连；多个P型柱（1），在所述N型的半导体基板（7）的表面沿第一方向平行分布；多个N型柱（2），对应设置于相邻所述P型柱（1）之间；其中，多个所述P型柱（1）和多个所述N型柱（2）均位于所述有源区和所述第一终端保护区内，且沿第二方向延伸至所述第二终端保护区，并在所述第二终端保护区内停止，各所述P型柱（1）和各所述N型柱（2）沿第三方向延伸，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向两两垂直，且所述第一方向和所述第二方向与水平面平行；至少一个N型隔断区（3），设置于所述第二终端保护区内，所述N型隔断区（3）将所述P型柱（1）隔断。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡新洁能股份有限公司 一种功率半导体器件终端保护区结构
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