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申请/专利权人：杭州积海半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种半导体器件的制造方法，属于半导体技术领域，该半导体器件的制造方法，包括以下步骤：提提供处理后的衬底，其中，所述衬底的表面设置有掩膜层，所述掩膜层上间隔布置有多个孔，所述孔的底部延伸至所述衬底中，所述孔的内壁依次层叠有第一侧壁层和第二侧壁层，所述第二侧壁层内部形成的空腔中填充有所需介质；自所述孔的内部向外依次刻蚀所述所需介质、所述第二侧壁层和所述第一侧壁层至所需高度。通过自孔内向外依次刻蚀所需介质、第二侧壁层和第一侧壁层至所需高度后，有效避免刻蚀过程中掩膜层被消耗。
主权项：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供处理后的衬底，其中，所述衬底的表面设置有掩膜层，所述掩膜层上间隔布置有多个孔，所述孔的底部延伸至所述衬底中，所述孔的内壁依次层叠有第一侧壁层和第二侧壁层，所述第二侧壁层内部形成的空腔中填充有所需介质；自所述孔的内部向外依次刻蚀所述所需介质、所述第二侧壁层和所述第一侧壁层至所需高度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州积海半导体有限公司 一种半导体器件的制造方法
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