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申请/专利权人：西交利物浦大学
摘要：本发明公开了一种突触型薄膜晶体管及其制备方法、运算阵列，该突触型薄膜晶体管包括：衬底；捕获层，捕获层设置于衬底的一侧；隧穿层，隧穿层设置于捕获层远离衬底的一侧；栅极，栅极设置于衬底远离捕获层的一侧；源极和漏极，源极和漏极设置于隧穿层远离捕获层的一侧；源极和漏极通过隧穿层电连接；捕获层用于在向栅极施加预设电压时，向隧穿层提供载流子。本发明提供的技术方案，可通过控制施加至突触型薄膜晶体管的栅极的电压，实现对突触型薄膜晶体管电导率的精准调节，从而能够实现多级化存储单元，进而极大提高运算阵列的存储容量。
主权项：1.一种突触型薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底；采用水溶液法在所述衬底的一侧旋涂捕获层前驱体溶液，并对旋涂所述捕获层前驱体溶液的衬底在第一预设条件下进行退火处理，以在所述衬底的一侧形成捕获层；采用水溶液法在所述捕获层远离所述衬底的一侧旋涂隧穿层前驱体溶液，并对旋涂所述隧穿层前驱体溶液的衬底在第二预设条件下进行退火处理，以在所述捕获层远离所述衬底的一侧形成隧穿层；在所述衬底远离所述捕获层的一侧形成栅极；在所述隧穿层远离所述捕获层的一侧形成源极和漏极；所述捕获层前驱体溶液包括ZrNO34·5H2O；所述第一预设条件包括：第一退火温度和第一退火时间；所述第一退火温度T1的取值范围为280℃≤T1≤320℃；所述第一退火时间t1的取值范围为75min≤t1≤105min；所述隧穿层前驱体溶液包括AlNO33·9H2O；所述第二预设条件包括：第二退火温度和第二退火时间；所述第二退火温度T2的取值范围为230℃≤T2≤270℃；所述第二退火时间t2的取值范围为45min≤t2≤75min。
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百度查询： 西交利物浦大学 一种突触型薄膜晶体管及其制备方法、运算阵列
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