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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：本申请提供了一种后段金属的填充方法，通过先在第一结构层上刻蚀得到间隔的多个第一通孔，然后在第一通孔中增加填充物并生长第二结构层，再在第二结构层上刻蚀得到间隔的多个第二通孔，且每个第二通孔对应制作于一个第一通孔处，最后去除第一通孔内的填充物，并向第一通孔和第二通孔填充金属，完成后段金属的填充。本申请后段金属的填充方法由于只进行了一次金属填充，能够减少后段金属填充工艺过程中所需要的制作流程，同时能够降低制作成本，进而减少后段金属中缺陷的发生率。本申请还涉及一种由上述方法制成的后段金属填充器件。
主权项：1.一种后段金属的填充方法，其特征在于，包括以下步骤：刻蚀第一结构层以得到间隔的多个第一通孔，并向各个所述第一通孔内添加填充物；其中，在所述第一结构层上依次生长碳涂层、第一掩膜层和第一光阻层；图案化所述第一光阻层；依次刻蚀所述第一掩膜层、所述碳涂层和所述第一结构层，以得到间隔的多个第一通孔；其中，采用含氟等离子体刻蚀所述第一掩膜层；采用含氧等离子体刻蚀所述碳涂层；在所述第一结构层和所述填充物上生长第二结构层，刻蚀所述第二结构层以暴露所述填充物，得到间隔的多个第二通孔；在垂直于所述第一结构层的任意截面上，每个所述第二通孔位于其对应的所述第一通孔的上方，且每个所述第二通孔的宽度小于其对应的所述第一通孔的宽度；通过所述第二通孔去除所述第一通孔内的所述填充物；在所述第一通孔和所述第二通孔中填充金属。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 后段金属填充方法、填充器件、存储器件及半导体器件
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