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申请/专利权人：杭州积海半导体有限公司
摘要：本发明提供一种CMOS器件及其形成方法，在所述CMOS器件的形成方法中，通过原位回刻蚀PFET区域以形成凹槽，凹槽贯穿部分厚度的PFET区域，且凹槽暴露出部分浅沟槽隔离结构的侧壁，后续采用原位外延生长工艺在凹槽内形成沟道层时，凹槽侧壁的浅沟槽隔离结构可以阻挡沟道层横向生长，由此避免出现PFET区域边缘的沟道层的厚度较PFET区域中心的沟道层的厚度变薄的问题，从而提高沟道层的厚度均匀性。并且，在形成沟道层之前，对衬底进行原位预烘烤处理，可以去除凹槽中的水汽以及污染物，且原位回刻蚀PFET区域、原位预烘烤处理以及原位外延生长工艺的过程均是原位进行的，由此降低了凹槽中的碳污染物与氧污染物的含量，进而提高沟道层的质量。
主权项：1.一种CMOS器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括相邻的PFET区域和NFET区域，所述PFET区域与所述NFET区域之间形成有浅沟槽隔离结构；在所述衬底上形成图形化的掩膜层，所述图形化的掩膜层覆盖所述NFET区域，并暴露出所述PFET区域；以所述图形化的掩膜层为掩膜，原位回刻蚀所述PFET区域以形成凹槽，所述凹槽贯穿部分厚度的所述PFET区域，且所述凹槽暴露出部分所述浅沟槽隔离结构的侧壁；对所述衬底进行原位预烘烤处理；采用原位外延生长工艺在所述凹槽内形成沟道层，所述沟道层的顶表面与所述浅沟槽隔离结构的顶表面平齐；去除所述图形化的掩膜层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州积海半导体有限公司 CMOS器件及其形成方法
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