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申请/专利权人：晶澳(邢台)太阳能有限公司
摘要：本发明提供一种RCZ法拉制单晶硅的方法，包括：S1、在拉制第一棒至第n‑3棒时，控制每棒具有相同的第一直径和第一长度，向坩埚内复投第一投料量的硅料，并向坩埚内添加等量的合金；S2、在拉制第n‑2棒时，控制所述第n‑2棒具有第一直径和第一长度，向坩埚内复投第一投料量的硅料，并停止添加合金；S3、拉制第n‑1棒时，控制第n‑1棒具有所述第一直径和第二长度，向坩埚内复投第二投料量的硅料，并继续停止添加合金；S4、在拉制第n棒时，控制第n棒具有大于所述第一直径的第二直径和第三长度，拉制直至所述坩埚内剩余硅料量小于或等于预定量，完成制备。本申请可以提高硅料利用率、提高单晶硅棒性能、提高生产效率。
主权项：1.一种RCZ法拉制单晶硅的方法，其特征在于，从第一棒拉制至第n棒，包括以下步骤：S1、在拉制第一棒至第n-3棒时，控制每棒的单晶硅棒具有相同的第一直径和第一长度，在每次拉制完成之后，向坩埚内复投第一投料量的硅料，并向所述坩埚内添加等量的合金；S2、在拉制第n-2棒时，控制所述第n-2棒的单晶硅棒具有所述第一直径和所述第一长度，在拉制完成后，向坩埚内复投所述第一投料量的硅料，并停止添加合金；S3、拉制第n-1棒时，控制所述第n-1棒的单晶硅棒具有所述第一直径和第二长度，在拉制完成后，向坩埚内复投第二投料量的硅料，并继续停止添加合金；S4、在拉制第n棒时，控制所述第n棒的单晶硅棒具有大于所述第一直径的第二直径和第三长度，拉制直至所述坩埚内剩余硅料量小于或等于预定量，完成制备；其中，所述第二长度大于所述第一长度，所述第三长度小于所述第一长度和所述第二长度，所述第二投料量大于所述第一投料量，第一棒至第n-1棒的单晶硅棒具有相同的电阻率，并且小于所述第n棒的单晶硅棒的电阻率。
全文数据：
权利要求：
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