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申请/专利权人：浙江禾芯集成电路有限公司

摘要：本实用新型公开了一种HBM封装结构，属于半导体封装技术领域。本实用新型一种HBM封装结构包括存储器芯片封装模块和逻辑芯片封装模块，逻辑芯片封装模块与存储器芯片封装模块面对面设置，所有逻辑芯片封装模块与存储器芯片封装模块的芯片侧边设置金属铜柱通道，以实现传输信号、指令、电流等，可以取代原有封装结构的TSV连接。

主权项：1.一种HBM封装结构，其包括存储器芯片封装模块和逻辑芯片封装模块，所述逻辑芯片封装模块与存储器芯片封装模块面对面设置；其特征在于，所有逻辑芯片封装模块与存储器芯片封装模块的芯片侧边设置金属柱状通道；所述存储器芯片封装模块包括存储器芯片单元（110）、芯片金属柱I（130）、铜柱I（721）和金属再布线层I（760），所述存储器芯片单元（110）的有源面朝下且设置芯片金属柱I（130），所述铜柱I（721）分布于所述存储器芯片单元（110）的侧面四周，用包封料包封存储器芯片单元（110）、芯片金属柱I（130）和铜柱I（721）形成包封层I（750），所述包封层I（750）露出存储器芯片单元背面（111）、芯片金属柱I上表面（131）、铜柱I上表面（723）和铜柱I下表面（724），所述金属再布线层I（760）设置于包封层I（750）的上表面，且与芯片金属柱I（130）和铜柱I（721）电信连接，所述金属再布线层I（760）远离存储器芯片单元（110）端设置输出焊点I（761），所述输出焊点I（761）上设置微金属柱I（771），所述微金属柱I（771）通过所述金属再布线层I（760）与所述铜柱I（721）电信连接，同时再通过芯片金属柱I（130）与存储器芯片单元（110）电信连接；所述逻辑芯片封装模块包括逻辑芯片单元（210）、芯片金属柱II（230）、铜柱II（821）和金属再布线层II（862）、金属再布线层IV（880），所述逻辑芯片单元（210）的有源面朝上且设置所述芯片金属柱II（230），所述铜柱II（821）分布于所述逻辑芯片单元（210）的侧面四周；包封料包封逻辑芯片单元（210）、芯片金属柱II（230）和铜柱II（821）形成包封层II（850），所述包封层II（850）露出芯片金属柱II上表面（231）和铜柱II上表面（823）、逻辑芯片单元（210）的背面和铜柱II下表面（824），所述金属再布线层II（862）设置在所述包封层II（850）的上表面，在所述金属再布线层II（862）的远离逻辑芯片单元（210）端设置输出焊点II（861），输出焊点II（861）上设置微金属凸块II（871），所述微金属凸块II（871）通过所述金属再布线层II（862）与铜柱II（821）电信连接，同时再通过芯片金属柱II（230）与逻辑芯片单元（210）电信连接；所述金属再布线层IV（880）设置在所述包封层II（850）的下表面，并在所述金属再布线层IV（880）的远离逻辑芯片单元（210）端设置输出焊点IV（881），所述输出焊点IV（881）上设置微金属柱II（883），所述微金属柱II（883）上设置焊料层II（885），所述微金属柱II（883）通过金属再布线层IV（880）与铜柱II（821）电信连接；所述逻辑芯片封装模块上方上下堆叠多个存储器芯片封装模块，所述存储器芯片封装模块（151）的微金属柱I（771）与逻辑芯片封装模块的微金属凸块II（871）一一对接并通过焊料层I（781）固连，后一所述存储器芯片封装模块的微金属柱I（771）与前一存储器芯片封装模块的铜柱I（721）通过焊料层I（781）固连，形成键合结构；采用包封料将所有存储器芯片模块整体包覆形成包封层III（890）；所述金属柱状通道包括存储器芯片封装模块的铜柱I（721）、微金属柱I（771）与所述逻辑芯片封装模块的微金属凸块II（871）、铜柱II（821）。

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