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申请/专利权人：浙江微针半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种高纵深比的MEMS探针制作方法，选用多孔阳极氧化铝作为衬底材料；在衬底上进行光刻，涂覆光刻胶并进行图形显影；在衬底的纳米孔道内进行蚀刻；在蚀刻出的沟槽内进行电镀，堆叠多层金属；对最上层金属进行CMP处理；去除衬底，得到MEMS探针。本发明将多孔阳极氧化铝的纳米孔道蚀刻成电镀模具，可以实现更高的纵深比和更强的机械结构，使得MEMS探针在施加较大针压时能够保持其结构稳定，不易变形或断裂，确保测试过程的准确性和可靠性。
主权项：1.一种高纵深比的MEMS探针制作方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、选用多孔阳极氧化铝作为衬底材料；S2、在衬底上进行光刻，涂覆光刻胶并进行图形显影；S3、在衬底的纳米孔道内进行蚀刻；S4、在蚀刻出的沟槽内进行电镀，堆叠多层金属；S5、对最上层金属进行CMP处理；S6、去除衬底，得到MEMS探针。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江微针半导体有限公司 一种高纵深比的MEMS探针制作方法
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