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发光二极管封装结构 

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申请/专利权人:光宝光电(常州)有限公司;光宝科技股份有限公司

摘要:本申请提供一种发光二极管封装结构,包括第一发光区域、第二发光区域、分隔墙以及环形挡墙。第一发光区域包括发出第一初始光束的第一发光二极管芯片,第一初始光束经过第一发光区域而形成第一白光。第二发光区域包括第二发光二极管芯片、第三发光二极管芯片以及第四发光二极管芯片。分隔墙设置在第一发光区域与第二发光区域之间。环形挡墙围绕分隔墙、第一发光区域及第二发光区域设置。第一初始光束、第二初始光束及第三初始光束与第一白光混合,且第一白光的发光角度的偏移量小于1度。

主权项:1.一种发光二极管封装结构,其特征在于,所述发光二极管封装结构包括:一第一发光区域,包括一第一发光二极管芯片,所述第一发光二极管芯片用以发出一第一初始光束,所述第一初始光束经过所述第一发光区域而形成一第一白光;一第二发光区域,包括一发出一第二初始光束的第二发光二极管芯片、一发出一第三初始光束的第三发光二极管芯片以及一发出一第四初始光束的第四发光二极管芯片,所述第二初始光束为绿光,所述第三初始光束为红光,所述第四初始光束为蓝光;一分隔墙,设置在所述第一发光区域与所述第二发光区域之间,所述第二发光二极管芯片、所述第三发光二极管芯片及所述第四发光二极管芯片距离所述分隔墙由近而远的顺序为所述第二发光二极管芯片、所述第三发光二极管芯片、所述第四发光二极管芯片;以及一环形挡墙,围绕所述分隔墙、所述第一发光区域及所述第二发光区域设置,所述环形挡墙具有一第一长边及一第二长边,所述第一长边的两端设有一强化部,所述第二长边设有一肋形部,所述肋形部的高度为所述环形挡墙的高度的13;其中,所述第二初始光束、所述第三初始光束、所述第四初始光束及所述第一白光用以单独发射至外部环境,或者所述第二初始光束、所述第三初始光束及所述第四初始光束的至少其中之一与所述第一白光混合后再发射至外部环境;所述第一白光的发光角度的偏移量小于1度;所述分隔墙的高度范围介于各所述发光二极管芯片的高度与所述环形挡墙高度的80%之间。

全文数据:

权利要求:

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