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申请/专利权人：南通越亚半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种多层嵌埋封装结构，包括第一介电层和在第一介电层上的第二介电层，第一介电层包括第一布线层，第二介电层包括沿高度方向贯穿第二介电层的第一铜柱层和器件放置口框以及在第一铜柱层上的第二布线层，在第二布线层上设置有第二铜柱层，第一布线层和第二布线层通过第一铜柱层导通连接，其中在器件放置口框的底部贴装有第一器件，使得第一器件的端子与第一布线层导通连接，在第二介电层上贴装有第二器件，使得第二器件的端子与第二布线层导通连接，在第二铜柱层的端部贴装有第三器件，使得第三器件的端子与第二铜柱层导通连接。还公开了一种多层嵌埋封装结构的制造方法。
主权项：1.一种多层嵌埋封装结构的制造方法，包括如下步骤：a、在临时承载板上形成第一布线层，在所述第一布线层上层压第一介电层，减薄所述第一介电层以暴露出上述第一布线层；b、在所述第一介电层上形成第一铜柱层，所述第一铜柱层包括牺牲铜柱，在所述第一铜柱层上层压第二介电层，减薄所述第二介电层以暴露出所述第一铜柱层；c、在所述第二介电层上形成第二布线层，使得所述第一布线层和所述第二布线层通过所述第一铜柱层导通连接；d、在所述第二布线层上形成第二铜柱层；e、蚀刻所述牺牲铜柱，形成暴露出所述第一布线层的器件放置口框；f、移除所述临时承载板。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南通越亚半导体有限公司 一种嵌埋封装结构及其制造方法
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