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申请/专利权人：上海华虹挚芯电子科技有限公司
摘要：本发明公开了一种IGBT器件结构及工艺方法，所述器件形成于半导体衬底中，器件具有元胞区、终端环区、漏电检测区以及截止区；所述漏电检测区位于终端环区与截止区之间。利用终端环区和截止区的之间的空间，设计了漏电检测区，结合半导体功率器件沟槽绝缘栅晶体管的工艺，可以及时发现功率器件工艺中的漏电产生，解决了现有IGBT器件结构不能及时捕捉监控器件结构受到磷离子污染或器件表面界面态缺陷没有及时修复产生的漏电现象。可以有效实现监控，达到及时发现漏电，确定漏电的大小，改善工艺。能够判定漏电是否来自于半导体表面，并测试漏电的大小，进行诊断，发现漏电来源进行改善治理。提高半导体器件稳定性和可靠性的目的。
主权项：1.一种IGBT器件结构，其特征在于：所述器件形成于半导体衬底中，在半导体衬底的剖视平面上，定义衬底具有上表面和下底面，与上表面和下底面的纵向垂直的水平方向为左右两侧；所述器件在纵向上，最下层也就是下底面为背面金属，背面金属上方为集电区，集电区上方为场终止层，场终止层上方为基区；在水平方向上，器件被划分为多个区域，分别为元胞区、终端区、漏电检测区以及截止区；所述漏电检测区位于终端区与截止区之间；所述漏电检测区中，包含有第一P型体区，在所述第一P型体区的两侧还分别有重掺杂的P型接触区；第一P型体区的上方的衬底表面还具有多晶硅层；所述的P型接触区上方具有接触孔形成引出，所述接触孔穿过介质层深入到P型接触区中，所述接触孔上方具有金属层形成金属互连；所述的多晶硅层，在俯视平面上，是呈蛇形或者是呈其他能调整形成不同长度的走线形式在衬底表面延伸；在所述多晶硅层的两端，还形成有PAD区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹挚芯电子科技有限公司 IGBT器件的结构及工艺方法
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