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申请/专利权人：海南航芯高科技产业集团有限责任公司
摘要：本实用新型公开了一种具有新型CLIP结构的IGBT功率单元及IGBT功率装置，该IGBT功率单元包括布线板、IGBT芯片、二极管芯片和第一CLIP件，布线板沿第一方向设有第一导电片和第二导电片，第一CLIP件包括根焊接部、主焊接部，以及连接在根焊接部和主焊接部之间的连接部，连接部相对于根焊接部和主焊接部向上弯折以形成可在第一方向上弹性伸缩的第一弹性褶皱，根焊接部焊接在第二导电片上，主焊接部沿第一方向形成有与二极管芯片焊接并呈平直状的第一焊接区和与IGBT芯片焊接并呈平直状的第二焊接区，第二焊接区相对于第一焊接区远离根焊接部。与现有技术相比，本实用新型的IGBT功率单元结构简单，布局合理且第一CLIP件的焊接稳定性高。
主权项：1.一种具有新型CLIP结构的IGBT功率单元，其特征在于：包括布线板、一个或多个芯片组和与所述芯片组对应的第一CLIP件，所述布线板上沿第一方向设置有第一导电片和第二导电片，每一所述芯片组包括沿第一方向间隔焊接在所述第一导电片上的IGBT芯片和二极管芯片，所述IGBT芯片的厚度低于所述二极管芯片的厚度且相对于所述二极管芯片远离所述第二导电片，所述第一CLIP件包括沿第一方向设置的根焊接部、主焊接部，以及连接在所述根焊接部和所述主焊接部之间的连接部，所述连接部相对于所述根焊接部和所述主焊接部向上弯折以形成一个或多个可在第一方向上弹性伸缩的第一弹性褶皱，所述根焊接部焊接在所述第二导电片上，所述主焊接部沿第一方向形成有与所述二极管芯片的第一电极焊接并呈平直状的第一焊接区和与所述IGBT芯片的第一电极焊接并呈平直状的第二焊接区，所述第二焊接区相对于所述第一焊接区远离所述根焊接部。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 海南航芯高科技产业集团有限责任公司 具有新型CLIP结构的IGBT功率单元及IGBT功率装置
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