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申请/专利权人：上海超致半导体科技有限公司
摘要：本发明公开了一种IGBT器件以及制备方法。该IGBT器件包括：多个器件元胞；器件元胞包括单极导电元胞结构、介质隔离层和双极导电元胞结构；单极导电元胞结构和双极导电元胞结构均包括外延层；外延层设置有多个第一通槽，第一通槽位于单极导电元胞结构的外延层和双极导电元胞结构的外延层之间；介质隔离层一一对应位于第一通槽内；单极导电元胞结构的外延层的第一表面设置有第二导电类型集电极接触区；双极导电元胞结构的外延层的第一表面设置有第一导电类型集电极接触区。本发明实施例提供的技术方案避免了IGBT器件出现电压回转（Snap‑Back）效应，提高了器件和工作电路的稳定性。
主权项：1.一种IGBT器件，其特征在于，包括：多个器件元胞；所述器件元胞包括单极导电元胞结构、介质隔离层和双极导电元胞结构；所述单极导电元胞结构和所述双极导电元胞结构均包括外延层；所述外延层设置有多个第一通槽，所述第一通槽位于所述单极导电元胞结构的外延层和所述双极导电元胞结构的外延层之间；所述介质隔离层一一对应位于所述第一通槽内，所述介质隔离层覆盖所述第一通槽的开口以及填充所述第一通槽内部的部分或者全部空间；所述单极导电元胞结构的外延层的第一表面设置有第二导电类型集电极接触区；所述双极导电元胞结构的外延层的第一表面设置有第一导电类型集电极接触区；所述单极导电元胞结构的外延层和所述双极导电元胞结构的外延层的第二表面均设置有第一导电类型体区和发射极接触区，所述第二表面和所述第一表面相对设置；多个第一栅极结构，所述第一栅极结构一一对应位于所述单极导电元胞结构的外延层的第二表面的一侧；多个第二栅极结构，所述第二栅极结构一一对应位于所述双极导电元胞结构的外延层的第二表面的一侧；共发射极，所述共发射极位于所述外延层的第二表面的一侧，所述共发射极与所述单极导电元胞结构和所述双极导电元胞结构的发射极接触区接触；共集电极，所述共集电极位于所述外延层的第一表面的一侧，所述共集电极与所述第一导电类型集电极接触区和所述第二导电类型集电极接触区接触；所述第一通槽和所述共集电极垂直设置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海超致半导体科技有限公司 一种IGBT器件以及制备方法
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