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申请/专利权人：哈尔滨工业大学
摘要：本发明提供了一种抗辐射VDMOS器件及其制备方法。所述抗辐射VDMOS器件的制备方法包括：在完成VDMOS器件的源极接触孔刻蚀后，向肼区内多次注入或扩散重金属离子，在所述肼区内形成重金属离子注入或扩散区，且所述重金属离子注入或扩散区的掺杂浓度自远离衬底一侧向靠近所述衬底一侧递减。本发明通过对外延层进行多次重金属离子注入或扩散，增加外延层辐射诱导电子空穴对的复合率，减少在高电场下电荷的收集效率，提升功率器件的抗单粒子烧毁能力，同时还能够保证VDMOS器件本身的高性能指标。另外，本发明与常规的功率VDMOS器件的制备方法工艺上兼容，步骤简单，易于操作。
主权项：1.一种抗辐射VDMOS器件的制备方法，其特征在于，包括：在完成VDMOS器件的源极接触孔刻蚀后，通过所述源极接触孔向阱区内多次注入或扩散重金属离子，在所述阱区内形成重金属离子注入或扩散区，且所述重金属离子注入或扩散区的掺杂浓度自远离衬底一侧向靠近所述衬底一侧递减。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 哈尔滨工业大学 一种抗辐射VDMOS器件及其制备方法
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